KTB631K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTB631K  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTB631K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB631K даташит

 ..1. Size:393K  kec
 ktb631k.pdf pdf_icon

KTB631K

SEMICONDUCTOR KTB631K TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMP, A B MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS D C E FEATURES F High breakdown voltage VCEO 120V, high current 1A. Low saturation voltage and good linearity of hFE. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7 _ + D 3.2 0.1 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UN

Другие транзисторы: KTB1234T, KTB1241, KTB1260, KTB1772, KTB2234, KTB2510, KTB2530, KTB598, 2SB817, KTB688B, KTB764, KTB772, KTB817B, KTB985, KTC1815, KTC2020D, KTC2020L