Биполярный транзистор KTB631K - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTB631K
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO126
KTB631K Datasheet (PDF)
..1. Size:393K kec
ktb631k.pdf
ktb631k.pdf
SEMICONDUCTOR KTB631KTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMP,ABMEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS DCEFEATURESFHigh breakdown voltage VCEO 120V, high current 1A.Low saturation voltage and good linearity of hFE.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LMAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7_+D 3.2 0.1CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UN
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
