KTB631K Todos los transistores

 

KTB631K Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTB631K
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 110 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KTB631K datasheet

 ..1. Size:393K  kec
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KTB631K

SEMICONDUCTOR KTB631K TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMP, A B MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS D C E FEATURES F High breakdown voltage VCEO 120V, high current 1A. Low saturation voltage and good linearity of hFE. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7 _ + D 3.2 0.1 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UN

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