Справочник транзисторов. KTC2026

 

Биполярный транзистор KTC2026 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTC2026
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220IS
 

 Аналог (замена) для KTC2026

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC2026 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  kec
ktc2026.pdfpdf_icon

KTC2026

SEMICONDUCTOR KTC2026TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.ACFEATURESDIM MILLIMETERSSLow Collector Saturation Voltage_A 10.0 0.3+_+B 15.0 0.3: VCE(sat)=1.0V(Max.) at IC=2A, IB=0.2A. EC _2.70 0.3+DComplementary to KTA1046. 0.76+0.09/-0.05_E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +H 0.5+0.1/-0.05_13.6

 ..2. Size:996K  kexin
ktc2026.pdfpdf_icon

KTC2026

DIP Type TransistorsNPN TransistorsKTC2026Unit: mmTO-220F0.200.200.202.54 Features0.200.70 Low saturation voltage Complementary to KTA10460.202.761.47max0.200.500.200.801. Base2.54typ2. Collector2.54typ3. Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 60 C

 8.1. Size:48K  kec
ktc2028.pdfpdf_icon

KTC2026

SEMICONDUCTOR KTC2028TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.ACFEATURES DIM MILLIMETERSSLow Collector-Emitter Saturation Voltage_A 10.0 + 0.3_+B 15.0 0.3E: VCE(sat)=2.0V(Max.).C _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05_E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +H 0.5+0.1/-0.05_+J 13.6 0.5L LRK _3.7 0.2+L

 8.2. Size:53K  kec
ktc2022d l.pdfpdf_icon

KTC2026

SEMICONDUCTOR KTC2022D/LTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.FEATURESAI C JLow Collector-Emitter Saturation VoltageDIM MILLIMETERS: VCE(sat)=-2.0V(Max.)._A 6.60 + 0.2_B 6.10 + 0.2_C 5.0 + 0.2_D 1.10 + 0.2_E 2.70 + 0.2_F 2.30 + 0.1H 1.00 MAX_I 2.30 + 0.2_J 0.5 + 0.1_HP K 2.00 + 0.20_L 0.50 + 0.

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top

 


 
.