KTC3532T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTC3532T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TSM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTC3532T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC3532T даташит

 ..1. Size:89K  kec
 ktc3532t.pdf pdf_icon

KTC3532T

SEMICONDUCTOR KTC3532T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 Large Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High-Speed Switching. _ F 1.9 + 0.2 1

 8.1. Size:90K  kec
 ktc3536t.pdf pdf_icon

KTC3532T

SEMICONDUCTOR KTC3536T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High Speed Switching. _ F 1.9

 8.2. Size:89K  kec
 ktc3535t.pdf pdf_icon

KTC3532T

SEMICONDUCTOR KTC3535T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High Speed Switching. _ F 1.9

 8.3. Size:39K  kec
 ktc3531t.pdf pdf_icon

KTC3532T

SEMICONDUCTOR KTC3531T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMP, CONVERTER ELECTRONIC GOVERNOR APPLICATIONS E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC=0.5A. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Complementary to KTA1531T. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2 1 G 0.95 _ H 0.16 + 0.05

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KTC3209, KTC3210, KTC3245, KTC3266, KTC3423, KTC3502, KTC3503, KTC3531T, 2N3904, KTC3535T, KTC3536T, KTC3541T, KTC3542T, KTC3543T, KTC3544T, KTC3551T, KTC3553T