Биполярный транзистор KTC3600U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTC3600U
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: USM
KTC3600U Datasheet (PDF)
ktc3600u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3600UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.EFEATURESM B MDIM MILLIMETERSLow Noise Figure, High Gain._A 2.00 0.20+D2NF=1.1dB, |S21e|2=13dB (f=1GHz). _+B 1.25 0.15_C 0.90 + 0.1031D 0.3+0.10/-0.05_+E 2.10 0.20G 0.65H 0.15+0.1/-0.06J 1.30MAXIMUM RATING (Ta=25 )K 0.00-0.10L 0.70
ktc3600s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3600STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.FEATURESELow Noise Figure, High Gain.L B LNF=1.1dB, |S21e|2=13dB (f=1GHz). DIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90MAXIMUM RATING (Ta=25 )H 0.95J 0.13+0.10/-0.05CHARACTERISTIC SYMBOL RATIN
ktc3605u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3605UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.FEATURESBLow Noise Figure, High Gain. B1NF=1.1dB, |S21e|2=13dB (f=1GHz).DIM MILLIMETERS1 6_A 2.00 0.20+Two internal isolated Transistors in one package._2 5 A1 1.3 + 0.1_B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1C 0.65D 0.2+0.10/-0.05MAXIMUM RATING (Ta=25 )
ktc3605t.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3605TTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.EFEATURES K B KDIM MILLIMETERSLow Noise Figure, High Gain._A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1NF=1.1dB, |S21e|2=13dB (f=1GHz)._C 0.70 + 0.052 5Two internal isolated Transistors in one package. _+D 0.4 0.1E 2.8+0.2/-0.3_F 1.9 + 0.23 4G 0.95_H 0.16 +
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: BF323-1
History: BF323-1
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050