KTC3600U datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTC3600U 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: USM
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTC3600U
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC3600U даташит
ktc3600u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3600U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.00 0.20 + D 2 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). _ + B 1.25 0.15 _ C 0.90 + 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + E 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K 0.00-0.10 L 0.70
ktc3600s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3600S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES E Low Noise Figure, High Gain. L B L NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 CHARACTERISTIC SYMBOL RATIN
ktc3605u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3605U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES B Low Noise Figure, High Gain. B1 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). DIM MILLIMETERS 1 6 _ A 2.00 0.20 + Two internal isolated Transistors in one package. _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.2+0.10/-0.05 MAXIMUM RATING (Ta=25 )
ktc3605t.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3605T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES K B K DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). _ C 0.70 + 0.05 2 5 Two internal isolated Transistors in one package. _ + D 0.4 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2 3 4 G 0.95 _ H 0.16 +
Другие транзисторы: KTC3536T, KTC3541T, KTC3542T, KTC3543T, KTC3544T, KTC3551T, KTC3553T, KTC3600S, BC337, KTC3605T, KTC3605U, KTC3620S, KTC3620U, KTC3620V, KTC3631L, KTC3640V, KTC3660U
History: 2SC1912
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor




