KTC3620V datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTC3620V 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75
Корпус транзистора: VSM
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTC3620V
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC3620V даташит
ktc3620v.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3620V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF/WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATON. E FEATURES B Low Noise Figure. High Gain. DIM MILLIMETERS 2 _ A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 _ G 0.8 0.05 + H 0.40 P P _ J 0.12 + 0.05 _ K 0.2 + 0.05 P 5 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNI
ktc3620s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3620S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF/WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATON. E FEATURES L B L DIM MILLIMETERS Low Noise Figure. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 High Gain. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 L 0.55 P P M 0.20 MIN N 1.00+0.20/-0.10 P 7 MAXIMUM RATING (Ta=25
ktc3620u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3620U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF/WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATON. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Noise Figure. _ A 2.00 0.20 + D High Gain. 2 _ + B 1.25 0.15 _ C 0.90 0.10 + 1 3 D 0.3+0.10/-0.05 _ + E 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 K 0.00-0.10 L 0.70 H _ M 0.42+0.10 N 0.10 MIN N N K MAXIMUM RATING
ktc3605u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3605U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES B Low Noise Figure, High Gain. B1 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). DIM MILLIMETERS 1 6 _ A 2.00 0.20 + Two internal isolated Transistors in one package. _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.2+0.10/-0.05 MAXIMUM RATING (Ta=25 )
Другие транзисторы: KTC3551T, KTC3553T, KTC3600S, KTC3600U, KTC3605T, KTC3605U, KTC3620S, KTC3620U, 13007, KTC3631L, KTC3640V, KTC3660U, KTC3708U, KTC3730U, KTC3730V, KTC3770S, KTC3770T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda










