KTC3911S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTC3911S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTC3911S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC3911S даташит

 ..1. Size:445K  kec
 ktc3911s.pdf pdf_icon

KTC3911S

SEMICONDUCTOR KTC3911S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES E L B L High Voltage VCEO=120V. DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). C 1.30 MAX 2 High hFE hFE=200 700. 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). 1 G 1.90

 9.1. Size:354K  kec
 ktc3964.pdf pdf_icon

KTC3911S

SEMICONDUCTOR KTC3964 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. A Switching Applications B D C Solenoid Drive Applications E Temperature Compensated for Audio Amplifier Output Stage F FEATURES G High DC current gain hFE = 500(min) (IC=400mA) H Low Collector emitter saturation voltage VCE(sat)=0.5V(max) DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX (IC=300mA)

 9.2. Size:929K  russia
 ktc394a-b.pdf pdf_icon

KTC3911S

 9.3. Size:1271K  russia
 ktc393a-b 2tc393a-b.pdf pdf_icon

KTC3911S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KTC3790S, KTC3790U, KTC3875S, KTC3876S, KTC3878S, KTC3879S, KTC3880S, KTC3881S, 2SC1815, KTC3964, KTC4021, KTC4072E, KTC4072V, KTC4074V, KTC4075E, KTC4075V, KTC4080