Биполярный транзистор KTC601UGR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTC601UGR
Маркировка: L6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: USV
Аналоги (замена) для KTC601UGR
KTC601UGR Datasheet (PDF)
ktc601u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC601UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.BFEATURES B1A super-minimold package houses 2 transistor.1 5DIM MILLIMETERS_Excellent temperature response between these 2 transistor. A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1High pairing property in hFE._B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1The follwin
ktc601u.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsKTC601USOT-353 Unit: mm1.3+0.1-0.10.65 Features Excellent temperature response between these 2 transistor. High pairing property in hFE. The follwing characteristics are common for Q1, Q2.+0.1 +0.050.1-0.020.3 -0.1+0.12.1-0.15 41. Q1 BASE2. Q , Q EMITTER1 23. Q BASE 24. Q COLLECTOR25. Q COLLECTOR
ktc601e.pdf
SEMICONDUCTOR KTC601ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.BB1FEATURESA super-minimold package houses 2 transistor.Excellent temperature response between these 2 transistor.1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+High pairing property in hFE._+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05The follwing characteristics are commo
ktc601f.pdf
SEMICONDUCTOR KTC601FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.TENTATIVEFEATURESThin fine pitch super mini 5pin.Excellent temperature response between these 2 transistor.High pairing property in hFE.The follwing characteristics are common for Q1, Q2.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050