KTC611T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTC611T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TSV

 Аналоги (замена) для KTC611T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC611T даташит

 ..1. Size:46K  kec
 ktc611t.pdf pdf_icon

KTC611T

SEMICONDUCTOR KTC611T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E B FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 Excellent hFE Linearity B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V, IC=400mA. 2 _ D 0.4 + 0.1 Complementary to KTA511T. E 2.8+0.2/-0.3 _ + F 1.9 0.2 3 4 G 0.95 _ H 0.16 + 0.05 I 0.00-0.1

 9.1. Size:1013K  russia
 ktc613a-b-v-g 2tc613a-b.pdf pdf_icon

KTC611T

Другие транзисторы: KTC5706, KTC5706D, KTC5706L, KTC5707D, KTC5707L, KTC601E, KTC601F, KTC601UGR, 2SC2240, KTC801E, KTC801F, KTC801U, KTC802E, KTC8050S, KTC811E, KTC811T, KTC811U