Справочник транзисторов. KTC801E

 

Биполярный транзистор KTC801E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTC801E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TES6
 

 Аналог (замена) для KTC801E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC801E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  kec
ktc801e.pdfpdf_icon

KTC801E

SEMICONDUCTOR KTC801ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. BB1FEATURESA super-minimold package houses 2 transistor.1 6 DIM MILLIMETERSExcellent temperature response between these 2 transistor. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05High pairing property in hFE. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05The follwing characteri

 8.1. Size:449K  kec
ktc801f.pdfpdf_icon

KTC801E

SEMICONDUCTOR KTC801FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURESBThin fine pitch super mini 6pin.B1Excellent temperature response between these 2 transistor.DIM MILLIMETERS_+A 1.0 0.05High pairing property in hFE._+A1 0.7 0.051 6The follwing characteristics are common for Q1, Q2. _+B 1.0 0.05_

 8.2. Size:46K  kec
ktc801u.pdfpdf_icon

KTC801E

SEMICONDUCTOR KTC801UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.BB1FEATURESDIM MILLIMETERS1 6_A super-minimold package houses 2 transistor. A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1Excellent temperature response between these 2 transistor._B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1High pairing property in hFE.C 0.65T

 9.1. Size:48K  kec
ktc8050a.pdfpdf_icon

KTC801E

SEMICONDUCTOR KTC8050ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8550A.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage 35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage 30 V_HJ 14.0

Другие транзисторы... KTC5706D , KTC5706L , KTC5707D , KTC5707L , KTC601E , KTC601F , KTC601UGR , KTC611T , 2SC2240 , KTC801F , KTC801U , KTC802E , KTC8050S , KTC811E , KTC811T , KTC811U , KTC812E .

 

 
Back to Top

 


 
.