KTD1691. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTD1691

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KTD1691

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1691 даташит

 ..1. Size:396K  kec
 ktd1691.pdf pdf_icon

KTD1691

SEMICONDUCTOR KTD1691 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE A LARGE CURRENT B D C E FEATURES F High Power Dissipation PC=1.5W(Ta=25 ) Complementary to KTB1151. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7 _ + D 3.2 0.1 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT E 3.5 _ + F 11.0 0.3 VCBO Collector-Bas

 9.1. Size:50K  kec
 ktd1624.pdf pdf_icon

KTD1691

SEMICONDUCTOR KTD1624 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT A C FEATURES H Adoption of MBIT processes. G Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. DIM MILLIMETERS Large current capacity and wide ASO. A 4.70 MAX D _ + D B 2.50 0.20 Complementary to KTB1124. K C 1.7

 9.2. Size:1380K  blue-rocket-elect
 ktd1624.pdf pdf_icon

KTD1691

KTD1624 Rev.G Jan.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features MBIT - , KTB1124 Adoption of MBIT processes, low collector-t

Другие транзисторы: KTD1003, KTD1047B, KTD1347, KTD1411, KTD1415V, KTD1510, KTD1530, KTD1624, C945, KTD1824, KTD1824E, KTD1854T, KTD1863, KTD1882, KTD2686, KTD2854, KTD545