KTD1824. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTD1824

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: USM

 Аналоги (замена) для KTD1824

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1824 даташит

 ..1. Size:37K  kec
ktd1824.pdfpdf_icon

KTD1824

SEMICONDUCTOR KTD1824 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION. FEATURES E High foward current transfer ratio hFE. M B M DIM MILLIMETERS Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). _ A + 2.00 0.20 D 2 High emitter to base voltage VEBO. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Low noise voltage NV. 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _

 0.1. Size:276K  kec
ktd1824e.pdfpdf_icon

KTD1824

SEMICONDUCTOR KTD1824E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION. FEATURES E High foward current transfer ratio hFE. B Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). DIM MILLIMETERS _ + A 1.60 0.10 D High emitter to base voltage VEBO. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Low noise voltage NV. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ ESM type packa

 9.1. Size:71K  secos
ktd1898.pdfpdf_icon

KTD1824

KTD1898 1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-89 FEATURES Small Flat Package 4 General Purpose Application 1 2 3 CLASSIFICATION OF hFE(1) B C A E E C Product-Rank KTD1898-O KTD1898-Y KTD1898-GR Range 70 140 120 240 200 400 B D Marking ZO ZY ZG

 9.2. Size:152K  jiangsu
ktd1898.pdfpdf_icon

KTD1824

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L KTD1898 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package General Purpose Application 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEB

Другие транзисторы: KTD1047B, KTD1347, KTD1411, KTD1415V, KTD1510, KTD1530, KTD1624, KTD1691, C1815, KTD1824E, KTD1854T, KTD1863, KTD1882, KTD2686, KTD2854, KTD545, KTD600K