KTD600K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTD600K

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KTD600K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD600K даташит

 ..1. Size:393K  kec
 ktd600k.pdf pdf_icon

KTD600K

SEMICONDUCTOR KTD600K TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMP, A B MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS D C E FEATURES F High breakdown voltage VCEO 120V, high current 1A. Low saturation voltage and good linearity of hFE. G Complementary to KTB631K. H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L C 0.7 _ + D 3.2 0.1 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) E

Другие транзисторы: KTD1824, KTD1824E, KTD1854T, KTD1863, KTD1882, KTD2686, KTD2854, KTD545, 2SA1943, KTD718B, KTD882, KTH2369, KTH2369A, KTN2222AE, KTN2222AU, KTN2222U, KTN2369AS