Справочник транзисторов. KTD600K

 

Биполярный транзистор KTD600K - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KTD600K
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KTD600K

 

 

KTD600K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  kec
ktd600k.pdf

KTD600K
KTD600K

SEMICONDUCTOR KTD600KTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMP, ABMEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS DCEFEATURES FHigh breakdown voltage VCEO 120V, high current 1A.Low saturation voltage and good linearity of hFE.GComplementary to KTB631K.HDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LC 0.7_+D 3.2 0.1MAXIMUM RATING (Ta=25 )E

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 

Back to Top