KTD718B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTD718B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO3PN-E

 Аналоги (замена) для KTD718B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD718B даташит

 ..1. Size:442K  kec
 ktd718b.pdf pdf_icon

KTD718B

SEMICONDUCTOR KTD718B TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B N FEATURES O K Recommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage. DIM MILLIMETERS Complementary to KTB688B. _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 D _ G 3.50 + 0.20 E _

 8.1. Size:76K  kec
 ktd718.pdf pdf_icon

KTD718B

SEMICONDUCTOR KTD718 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Recommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage. DIM MILLIMETERS Complementary to KTB688. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL RAT

Другие транзисторы: KTD1824E, KTD1854T, KTD1863, KTD1882, KTD2686, KTD2854, KTD545, KTD600K, TIP122, KTD882, KTH2369, KTH2369A, KTN2222AE, KTN2222AU, KTN2222U, KTN2369AS, KTN2369AU