KTN2907AU - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KTN2907AU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KTN2907AU
   Маркировка: ZH
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: USM

 Аналоги (замена) для KTN2907AU

 

KTN2907AU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kec
ktn2907u ktn2907au.pdfpdf_icon

KTN2907AU

SEMICONDUCTOR KTN2907U/AU TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ + A 2.00 0.20 D 2 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Low Saturation Voltage 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.

 6.1. Size:704K  kec
ktn2907s ktn2907as.pdfpdf_icon

KTN2907AU

SEMICONDUCTOR KTN2907S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ Low Leakage Current A 2.93 0.20 + B 1.30+0.20/-0.15 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Low Saturation Voltage E 2.40+0.30/-0.20 1 VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15m

 6.2. Size:83K  kec
ktn2907ae.pdfpdf_icon

KTN2907AU

SEMICONDUCTOR KTN2907AE TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES B Low Leakage Current D DIM MILLIMETERS ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. 2 _ + A 1.60 0.10 Low Saturation Voltage _ + B 0.85 0.10 3 1 _ C 0.70 0.10 + VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA. D 0.27+0.10/-0.05 _ Complementar

 7.1. Size:577K  kec
ktn2907s as.pdfpdf_icon

KTN2907AU

SEMICONDUCTOR KTN2907S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES L B L DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. C 1.30 MAX 2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.

Другие транзисторы... KTH2369 , KTH2369A , KTN2222AE , KTN2222AU , KTN2222U , KTN2369AS , KTN2369AU , KTN2907AE , A1941 , KTX101E , KTX101U , KTX102E , KTX102U , KTX103E , KTX111T , KTX112T , KTX201E .

History: 2SD1926 | DDTA144WKA

 

 
Back to Top

 


 
.