KTX101E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KTX101E
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TES6
KTX101E Datasheet (PDF)
ktx101e.pdf
SEMICONDUCTOR KTX101E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. (Thin Extreme Super mini type with 6 pin.) 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify circuit design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 C 0.50 3 4 _ D 0.2 +
ktx101u.pdf
SEMICONDUCTOR KTX101U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES B Including two devices in US6. B1 (Ultra Super mini type with 6 leads) DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify circuit design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.2+0.10/-0.0
ktx102e.pdf
SEMICONDUCTOR KTX102E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. (Thin Extreme Super mini type with 6 Pin.) 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify circuit design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 C 0.50 3 4 _ D 0.2 +
ktx103e.pdf
SEMICONDUCTOR KTX103E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. (Thin Extreme Super mini type with 6 pin.) 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify circuit design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 C 0.50 3 4 _ D 0.2
Другие транзисторы... KTH2369A , KTN2222AE , KTN2222AU , KTN2222U , KTN2369AS , KTN2369AU , KTN2907AE , KTN2907AU , TIP31C , KTX101U , KTX102E , KTX102U , KTX103E , KTX111T , KTX112T , KTX201E , KTX201U .
History: TI462
History: TI462
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor






