Биполярный транзистор KTX101E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTX101E
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TES6
KTX101E Datasheet (PDF)
ktx101e.pdf
SEMICONDUCTOR KTX101ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.(Thin Extreme Super mini type with 6 pin.)1 6 DIM MILLIMETERSSimplify circuit design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a quantity of parts and manufacturing process.2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.2 +
ktx101u.pdf
SEMICONDUCTOR KTX101UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.FEATURESBIncluding two devices in US6.B1(Ultra Super mini type with 6 leads)DIM MILLIMETERS1 6_Simplify circuit design. A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process._B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1C 0.65D 0.2+0.10/-0.0
ktx102e.pdf
SEMICONDUCTOR KTX102ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.(Thin Extreme Super mini type with 6 Pin.)1 6 DIM MILLIMETERSSimplify circuit design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a quantity of parts and manufacturing process.2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.2 +
ktx103e.pdf
SEMICONDUCTOR KTX103ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.(Thin Extreme Super mini type with 6 pin.)1 6 DIM MILLIMETERSSimplify circuit design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a quantity of parts and manufacturing process.2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.2
ktx102u.pdf
SEMICONDUCTOR KTX102UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.FEATURESBIncluding two devices in US6.B1(Ultra Super mini type with 6 leads)DIM MILLIMETERS1 6_Simplify circuit design. A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process._B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1C 0.65D 0.2+0.10/-0.0
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , TIP142 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
