Биполярный транзистор KTX102E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KTX102E
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2(4) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TES6
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KTX102E Datasheet (PDF)
ktx102e.pdf

SEMICONDUCTOR KTX102ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.(Thin Extreme Super mini type with 6 Pin.)1 6 DIM MILLIMETERSSimplify circuit design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a quantity of parts and manufacturing process.2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.2 +
ktx102u.pdf

SEMICONDUCTOR KTX102UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.FEATURESBIncluding two devices in US6.B1(Ultra Super mini type with 6 leads)DIM MILLIMETERS1 6_Simplify circuit design. A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process._B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1C 0.65D 0.2+0.10/-0.0
ktx101e.pdf

SEMICONDUCTOR KTX101ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.(Thin Extreme Super mini type with 6 pin.)1 6 DIM MILLIMETERSSimplify circuit design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a quantity of parts and manufacturing process.2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.2 +
ktx103e.pdf

SEMICONDUCTOR KTX103ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.(Thin Extreme Super mini type with 6 pin.)1 6 DIM MILLIMETERSSimplify circuit design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a quantity of parts and manufacturing process.2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.2
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: C44H10 | NA21Y | 2N5785N1 | MPS4141 | NB021EJ
History: C44H10 | NA21Y | 2N5785N1 | MPS4141 | NB021EJ



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet