KTX301E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTX301E
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: TESV
Аналоги (замена) для KTX301E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTX301E даташит
ktx301e.pdf
KTX301E SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE GENERAL PURPOSE APPLICATION. ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B B1 FEATURES Including two(TR, Diode) devices in TESV. (Thin Extreme Super mini type with 5pin.) 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Simplify circuit design. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 Reduce
ktx301u.pdf
KTX301U SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE GENERAL PURPOSE APPLICATION. ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B FEATURES B1 Including two(TR, Diode) devices in USV. 1 5 DIM MILLIMETERS _ + (Ultra Super Mini type with 5 leads) 2.00 0.20 A _ 2 + 1.3 0.1 A1 Simplify circuit design. _ + B 2.1 0.1 3 4 D _ +
ktx302u.pdf
KTX302U SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE GENERAL PURPOSE APPLICATION. LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING. B FEATURES B1 Including two(TR, Diode) devices in USV. 1 5 DIM MILLIMETERS _ (Ultra Super Mini type with 5 leads) A 2.00 0.20 + 2 _ + A1 1.3 0.1 Simplify circuit design. _ + B 2.1 0.1 3 4 D _ + B1 1.25 0.1 Redu
ktx303u.pdf
KTX303U SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE SWITCHING APPLICATION. LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING. B FEATURES B1 Including two(TR, Diode) devices in USV. 1 5 DIM MILLIMETERS _ (Ultra Super Mini type with 5 leads) A 2.00 0.20 + 2 _ + A1 1.3 0.1 Simplify circuit design. _ + B 2.1 0.1 3 4 D _ + B1 1.25 0.1 Reduce a q
Другие транзисторы: KTX102U, KTX103E, KTX111T, KTX112T, KTX201E, KTX201U, KTX215E, KTX216U, MJE340, KTX301U, KTX302U, KTX303U, KTX311T, KTX312T, KTX321U, KTX401E, KTX401U
History: 2SC2591
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent




