Биполярный транзистор MJD117L Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MJD117L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: IPAK
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MJD117L Datasheet (PDF)
mjd112 mjd117.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJD112/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN*MJD112Complementary DarlingtonPNPMJD117*Power TransistorsDPAK For Surface Mount Applications*Motorola Preferred DeviceDesigned for general purpose power and switching such as output or driver stagesSILICONin applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.POWER TRANS
mjd112 mjd117.pdf

MJD112MJD117COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX T4)3 ELECTRICAL SIMILAR TO TIP112 AND1TIP117APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDDPAKAMPLIFIERTO-252(Suffix
mjd117.pdf

MJD117D-PAK for Surface Mount Applications High DC Current Gain Built-in a Damper Diode at E-C Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix)D-PAK I-PAK11 Electrically Similar to Popular TIP1171.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
njvmjd112 njvmjd117.pdf

MJD112 (NPN),MJD117 (PNP)Complementary DarlingtonPower TransistorsDPAK For Surface Mount Applicationshttp://onsemi.comDesigned for general purpose power and switching such as output ordriver stages in applications such as switching regulators, converters,SILICONand power amplifiers.POWER TRANSISTORSFeatures2 AMPERES Lead Formed for Surface Mount Applications in Plas
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N2851-2 | APT13005DTF | DDTA122LE | PBSS5240X | 2SC2621C | 2SC2666 | 2SC2459BL
History: 2N2851-2 | APT13005DTF | DDTA122LE | PBSS5240X | 2SC2621C | 2SC2666 | 2SC2459BL



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840