MPS8550. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPS8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MPS8550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPS8550 даташит

 ..1. Size:47K  kec
mps8550.pdfpdf_icon

MPS8550

SEMICONDUCTOR MPS8550 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. B C FEATURE Complementary to MPS8050. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 3.70 MAX D D 0.45 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT E 1.00 F 1.27 VCBO -40 V Collector-Base Voltage G 0.85 H 0.45 VCEO -25 V Collector-Emitter Voltage _ H J 14.0

 0.1. Size:350K  kec
mps8550s.pdfpdf_icon

MPS8550

SEMICONDUCTOR MPS8550S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. E FEATURE L B L Complementary to MPS8050S. DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT K 0.00 0.10 Q L 0.55 P P M 0.20 M

 0.2. Size:603K  kec
mps8550sc.pdfpdf_icon

MPS8550

SEMICONDUCTOR MPS8550SC TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. FEATURE Complementary to MPS8050SC. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -40 V Collector-Base Voltage VCEO -25 V Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -1,200 mA PC * Collector Power Dissipation 350 mW Tj Junctio

 9.1. Size:100K  fairchild semi
mps8598.pdfpdf_icon

MPS8550

September 2007 MPS8598 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter V

Другие транзисторы: MJE13005DF, MJE13005F, MJE13007F, MJE13009F, MJE5555, MMBTA517, MPS8050, MPS8050S, NJW0281G, MPS8550S, MPSA94A, TIP112F, TIP117F, TIP31CF, TIP32CF, TIP35CA, TIP36CA