KRA105. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KRA105

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для KRA105

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA105 даташит

 9.1. Size:389K  kec
kra107m-kra109m.pdfpdf_icon

KRA105

SEMICONDUCTOR KRA107M KRA109M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00

 9.2. Size:391K  kec
kra107s-kra109s.pdfpdf_icon

KRA105

SEMICONDUCTOR KRA107S KRA109S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 With Built-in Bias Resistors. B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX Simplify Circuit Design. 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30

 9.3. Size:377K  kec
kra107-kra109.pdfpdf_icon

KRA105

SEMICONDUCTOR KRA107 KRA109 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 EQUIVALENT CI

 9.4. Size:1013K  kec
kra101s-kra106s.pdfpdf_icon

KRA105

SEMICONDUCTOR KRA101S KRA106S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/-0

Другие транзисторы: KTC812T, KTC814U, KRA101S, KRA102S, KRA103, KRA103S, KRA104, KRA104S, TIP120, KRA105S, KRA106, KRA106S, KRA107, KRA107S, KRA108, KRA108S, KRA109