KRA301E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KRA301E

Маркировка: PA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: ESM

 Аналоги (замена) для KRA301E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA301E даташит

 0.1. Size:67K  kec
 kra301e-kra306e.pdf pdf_icon

KRA301E

SEMICONDUCTOR KRA301E KRA306E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _

 8.1. Size:107K  kec
 kra301v-kra306v 1.pdf pdf_icon

KRA301E

SEMICONDUCTOR KRA301V KRA306V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05

 8.2. Size:388K  kec
 kra301-kra306.pdf pdf_icon

KRA301E

SEMICONDUCTOR KRA301 KRA306 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.00 0.20 D 2 _ Simplify Circuit Design. B 1.25 + 0.15 _ + C 0.90 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _

 8.3. Size:422K  kec
 kra301v-kra306v.pdf pdf_icon

KRA301E

SEMICONDUCTOR KRA301V KRA306V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA122S, KRA221, KRA222, KRA223, KRA224, KRA225, KRA226, KRA301, 2SC4793, KRA301V, KRA302, KRA302E, KRA302V, KRA303, KRA303E, KRA303V, KRA304