KRA309E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KRA309E
Маркировка: PJ
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: ESM
KRA309E Datasheet (PDF)
kra307e-kra309e.pdf
SEMICONDUCTOR KRA307E KRA309E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ High Pack
kra307e-kra309e 1.pdf
SEMICONDUCTOR KRA307E KRA309E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ H
kra307v-kra309v 1.pdf
SEMICONDUCTOR KRA307V KRA309V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 +
kra309.pdf
SEMICONDUCTOR KRA309 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 2.00 0.20 D 2 Simplify Circuit Design _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + Hi
Другие транзисторы... KRA305V , KRA306 , KRA306E , KRA306V , KRA307E , KRA307V , KRA308E , KRA308V , C3198 , KRA309V , KRA310 , KRA310E , KRA310V , KRA311 , KRA311E , KRA311V , KRA312 .
History: INA5008AH1 | BDX28
History: INA5008AH1 | BDX28
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018






