Биполярный транзистор KRA316V - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRA316V
Маркировка: P2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
Корпус транзистора: VSM
KRA316V Datasheet (PDF)
kra316v-kra322v.pdf
SEMICONDUCTOR KRA316V~KRA322VEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESBWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERS2_Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.0513_C 0.5 + 0.05_D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05_G 0.
kra316v-kra322v 1.pdf
SEMICONDUCTOR KRA316V~KRA322VEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESBWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERS2_Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.0513_C 0.5 + 0.05_D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05_
kra316e-kra322e.pdf
SEMICONDUCTOR KRA316E~KRA322EEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESBDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 1.60 0.10DSimplify Circuit Design. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.31D 0.27+0.10/-0.05_+
kra316-kra322.pdf
SEMICONDUCTOR KRA316~KRA322EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESM B MWith Built-in Bias Resistors.DIM MILLIMETERS_+A 2.00 0.20Simplify Circuit Design. D2_+B 1.25 0.15Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _+C 0.90 0.1031D 0.3+0.10/-0.05_+
kra316e-kra322e 1.pdf
SEMICONDUCTOR KRA316E~KRA322EEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESBDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 1.60 0.10DSimplify Circuit Design. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.31D 0.27+0.10/-0.05_+
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: KT6113A
History: KT6113A
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050