KRA320 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA320  📄📄 

Маркировка: P7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 24

Корпус транзистора: USM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA320

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA320 даташит

 9.1. Size:68K  kec
 kra316v-kra322v.pdf pdf_icon

KRA320

SEMICONDUCTOR KRA316V KRA322V EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 _ G 0.

 9.2. Size:68K  kec
 kra316e-kra322e.pdf pdf_icon

KRA320

SEMICONDUCTOR KRA316E KRA322E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ +

 9.3. Size:391K  kec
 kra316-kra322.pdf pdf_icon

KRA320

SEMICONDUCTOR KRA316 KRA322 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES M B M With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS _ + A 2.00 0.20 Simplify Circuit Design. D 2 _ + B 1.25 0.15 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + C 0.90 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ +

 9.4. Size:425K  kec
 kra316v-kra322v 1.pdf pdf_icon

KRA320

SEMICONDUCTOR KRA316V KRA322V EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 _

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA317E, KRA317V, KRA318, KRA318E, KRA318V, KRA319, KRA319E, KRA319V, S9018, KRA320E, KRA320V, KRA321, KRA321E, KRA321V, KRA322, KRA322E, KRA322V