Биполярный транзистор KRA320E
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRA320E
Маркировка: P7
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 24
Корпус транзистора:
ESM
Аналоги (замена) для KRA320E
KRA320E
Datasheet (PDF)
9.1. Size:68K kec
kra316v-kra322v.pdf 
SEMICONDUCTOR KRA316V~KRA322VEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESBWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERS2_Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.0513_C 0.5 + 0.05_D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05_G 0.
9.2. Size:68K kec
kra316e-kra322e.pdf 
SEMICONDUCTOR KRA316E~KRA322EEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESBDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 1.60 0.10DSimplify Circuit Design. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.31D 0.27+0.10/-0.05_+
9.3. Size:391K kec
kra316-kra322.pdf 
SEMICONDUCTOR KRA316~KRA322EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESM B MWith Built-in Bias Resistors.DIM MILLIMETERS_+A 2.00 0.20Simplify Circuit Design. D2_+B 1.25 0.15Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _+C 0.90 0.1031D 0.3+0.10/-0.05_+
9.4. Size:425K kec
kra316v-kra322v 1.pdf 
SEMICONDUCTOR KRA316V~KRA322VEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESBWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERS2_Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.0513_C 0.5 + 0.05_D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05_
9.5. Size:425K kec
kra316e-kra322e 1.pdf 
SEMICONDUCTOR KRA316E~KRA322EEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONEFEATURESBDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 1.60 0.10DSimplify Circuit Design. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.31D 0.27+0.10/-0.05_+
Другие транзисторы... 2SA1801
, 2SA1802
, 2SA1802A
, 2SA1803
, 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, TIP35C
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, 2SA1806
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
.
