KRA322V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA322V  📄📄 

Маркировка: P9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 62

Корпус транзистора: VSM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA322V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA322V даташит

 0.1. Size:68K  kec
 kra316v-kra322v.pdf pdf_icon

KRA322V

SEMICONDUCTOR KRA316V KRA322V EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 _ G 0.

 0.2. Size:425K  kec
 kra316v-kra322v 1.pdf pdf_icon

KRA322V

SEMICONDUCTOR KRA316V KRA322V EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 _

 8.1. Size:68K  kec
 kra316e-kra322e.pdf pdf_icon

KRA322V

SEMICONDUCTOR KRA316E KRA322E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ +

 8.2. Size:391K  kec
 kra316-kra322.pdf pdf_icon

KRA322V

SEMICONDUCTOR KRA316 KRA322 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES M B M With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS _ + A 2.00 0.20 Simplify Circuit Design. D 2 _ + B 1.25 0.15 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + C 0.90 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ +

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA320, KRA320E, KRA320V, KRA321, KRA321E, KRA321V, KRA322, KRA322E, D667, KRA351, KRA352, KRA353, KRA354, KRA355, KRA356, KRA357, KRA521T