KRA356 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA356  📄📄 

Маркировка: AF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: USM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA356

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA356 даташит

 9.1. Size:358K  kec
 kra351-kra357.pdf pdf_icon

KRA356

SEMICONDUCTOR KRA351 357 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E M B M DIM MILLIMETERS FEATURES _ + A 2.00 0.20 D 2 _ With Built-in Bias Resistors. + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 3 Simplify Circuit Design. 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + E 2.10 0.20 Reduce a Quantity of Parts a

Другие транзисторы: KRA322, KRA322E, KRA322V, KRA351, KRA352, KRA353, KRA354, KRA355, TIP41C, KRA357, KRA521T, KRA522T, KRA523T, KRA524T, KRA525T, KRA526T, KRA551E