2N5996 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5996

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2N5996

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5996 даташит

 9.1. Size:769K  motorola
 2n5986-89 2n5991.pdf pdf_icon

2N5996

 9.2. Size:117K  jmnic
 2n5989 2n5990 2n5991.pdf pdf_icon

2N5996

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5989 2N5990 2N5991 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2N5986 2N5987 2N5988 Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3

 9.3. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

2N5996

 9.4. Size:122K  inchange semiconductor
 2n5989 2n5990 2n5991.pdf pdf_icon

2N5996

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5989 2N5990 2N5991 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2N5986/5987/5988 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5989, 2N599, 2N5990, 2N5991, 2N5992, 2N5993, 2N5994, 2N5995, S9018, 2N5998, 2N5999, 2N59A, 2N59B, 2N59C, 2N60, 2N600, 2N6000