Справочник транзисторов. KRA552F

 

Биполярный транзистор KRA552F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KRA552F
   Маркировка: HB
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TFSV
 

 Аналог (замена) для KRA552F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA552F Datasheet (PDF)

 9.1. Size:46K  kec
kra557u-kra559u.pdfpdf_icon

KRA552F

SEMICONDUCTOR KRA557U~KRA559UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors1 5DIM MILLIMETERS_Simplify Circuit Design A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process_B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1High Pack

 9.2. Size:47K  kec
kra557e-kra559e.pdfpdf_icon

KRA552F

SEMICONDUCTOR KRA557E~KRA559ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias ResistorsSimplify Circuit Design1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process_+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05High Packing Density._+B1 1.2

 9.3. Size:67K  kec
kra551e-kra556e.pdfpdf_icon

KRA552F

SEMICONDUCTOR KRA551E~KRA556ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05High Packing Density._

 9.4. Size:67K  kec
kra551u-kra556u.pdfpdf_icon

KRA552F

SEMICONDUCTOR KRA551U~KRA556UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.1 5DIM MILLIMETERS_Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1High P

Другие транзисторы... KRA523T , KRA524T , KRA525T , KRA526T , KRA551E , KRA551F , KRA551U , KRA552E , D882 , KRA552U , KRA553E , KRA553F , KRA553U , KRA554E , KRA554F , KRA554U , KRA555E .

History: BDS28C | FMMT3904R | CH817UPNGP | SBCP56T3G | NSVMUN5331DW1T1G | 2SA1585S | MN29

 

 
Back to Top

 


 
.