KRA558E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA558E  📄📄 

Маркировка: PI

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TESV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA558E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA558E даташит

 9.1. Size:46K  kec
 kra557u-kra559u.pdf pdf_icon

KRA558E

SEMICONDUCTOR KRA557U KRA559U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Pack

 9.2. Size:47K  kec
 kra557e-kra559e.pdf pdf_icon

KRA558E

SEMICONDUCTOR KRA557E KRA559E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _ + B1 1.2

 9.3. Size:67K  kec
 kra551e-kra556e.pdf pdf_icon

KRA558E

SEMICONDUCTOR KRA551E KRA556E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _

 9.4. Size:67K  kec
 kra551u-kra556u.pdf pdf_icon

KRA558E

SEMICONDUCTOR KRA551U KRA556U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA554U, KRA555E, KRA555U, KRA556E, KRA556U, KRA557E, KRA557F, KRA557U, 2N2222A, KRA558F, KRA558U, KRA559E, KRA559F, KRA559U, KRA560E, KRA560F, KRA560U