KRA558E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KRA558E
Маркировка: PI
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TESV
KRA558E Datasheet (PDF)
kra557u-kra559u.pdf
SEMICONDUCTOR KRA557U KRA559U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Pack
kra557e-kra559e.pdf
SEMICONDUCTOR KRA557E KRA559E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _ + B1 1.2
kra551e-kra556e.pdf
SEMICONDUCTOR KRA551E KRA556E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _
kra551u-kra556u.pdf
SEMICONDUCTOR KRA551U KRA556U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High P
Другие транзисторы... KRA554U , KRA555E , KRA555U , KRA556E , KRA556U , KRA557E , KRA557F , KRA557U , 2N2222A , KRA558F , KRA558U , KRA559E , KRA559F , KRA559U , KRA560E , KRA560F , KRA560U .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100







