KRA563F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA563F  📄📄 

Маркировка: HN

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TFSV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA563F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA563F даташит

 9.1. Size:50K  kec
 kra560e-kra564e.pdf pdf_icon

KRA563F

SEMICONDUCTOR KRA560E KRA564E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _ + B1

 9.2. Size:81K  kec
 kra566e-kra572e.pdf pdf_icon

KRA563F

SEMICONDUCTOR KRA566E KRA572E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 _ + B1 1.2 0.05 C 0.50 3 4 _

 9.3. Size:50K  kec
 kra560u-kra564u.pdf pdf_icon

KRA563F

SEMICONDUCTOR KRA560U KRA564U EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packing

 9.4. Size:70K  kec
 kra566u-kra572u.pdf pdf_icon

KRA563F

SEMICONDUCTOR KRA566U-KRA572U EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA560F, KRA560U, KRA561E, KRA561F, KRA561U, KRA562E, KRA562U, KRA563E, 2SA1837, KRA563U, KRA564E, KRA564F, KRA564U, KRA566E, KRA566U, KRA567E, KRA567U