Биполярный транзистор KRA567U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRA567U
Маркировка: P4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: USV
KRA567U Datasheet (PDF)
kra560e-kra564e.pdf
SEMICONDUCTOR KRA560E~KRA564EEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05High Packing Density._+B1
kra566e-kra572e.pdf
SEMICONDUCTOR KRA566E~KRA572EEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONBB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05_+B1 1.2 0.05C 0.503 4_
kra560u-kra564u.pdf
SEMICONDUCTOR KRA560U~KRA564UEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.1 5DIM MILLIMETERS_Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1High Packing
kra566u-kra572u.pdf
SEMICONDUCTOR KRA566U-KRA572UEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONBFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.1 5DIM MILLIMETERS_Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1C 0.65D
kra560f-kra564f.pdf
SEMICONDUCTOR KRA560F~KRA564FEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERSReduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A 1.0 0.05_+A1 0.7 0.05Thin Fine Pitch Super mini 5 pin Package._+
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC3957 | 2N3055H
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050