KRA726E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA726E  📄📄 

Маркировка: JF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA726E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA726E даташит

 0.1. Size:111K  kec
 kra721e-kra726e.pdf pdf_icon

KRA726E

SEMICONDUCTOR KRA721E KRA726E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing D

 0.2. Size:423K  kec
 kra721e-kra726e 1.pdf pdf_icon

KRA726E

SEMICONDUCTOR KRA721E KRA726E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packi

 8.1. Size:67K  kec
 kra721u-kra726u.pdf pdf_icon

KRA726E

SEMICONDUCTOR KRA721U KRA726U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packin

 8.2. Size:68K  kec
 kra721t-kra726t.pdf pdf_icon

KRA726E

SEMICONDUCTOR KRA721T KRA726T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPPLICATION. E K B K FEATURES DIM MILLIMETERS _ With Built-in Bias Resistors. A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 Simplify Circuit Design. _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA723U, KRA724E, KRA724F, KRA724T, KRA724U, KRA725E, KRA725T, KRA725U, BC547B, KRA726T, KRA726U, KRA727E, KRA727F, KRA727U, KRA728E, KRA728F, KRA728U