KRA731E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA731E  📄📄 

Маркировка: JM

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA731E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA731E даташит

 9.1. Size:50K  kec
 kra730e-kra734e.pdf pdf_icon

KRA731E

SEMICONDUCTOR KRA730E KRA734E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Dens

 9.2. Size:388K  kec
 kra730f-kra734f.pdf pdf_icon

KRA731E

SEMICONDUCTOR KRA730F KRA734F EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density.

 9.3. Size:70K  kec
 kra736e-kra742e.pdf pdf_icon

KRA731E

SEMICONDUCTOR KRA736E KRA742E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 C 0.50 3 4 _ D 0

 9.4. Size:50K  kec
 kra730u-kra734u.pdf pdf_icon

KRA731E

SEMICONDUCTOR KRA730U KRA734U EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA728F, KRA728U, KRA729E, KRA729F, KRA729U, KRA730E, KRA730F, KRA730U, BD333, KRA731F, KRA731U, KRA732E, KRA732U, KRA733E, KRA733F, KRA733U, KRA734E