Биполярный транзистор KRA752E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KRA752E
Маркировка: PB
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TES6
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KRA752E Datasheet (PDF)
kra751f-kra754f.pdf

SEMICONDUCTOR KRA751F~KRA754FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.1 6Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS_2 5+A 1.0 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 0.7 0.05_+B 1.0 0.05Thin Fine Pitch Super
kra757e-kra759e.pdf

SEMICONDUCTOR KRA757E~KRA759ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05High Packing
kra751e-kra756e.pdf

SEMICONDUCTOR KRA751E~KRA756ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05High Packi
kra757u-kra759u.pdf

SEMICONDUCTOR KRA757U~KRA759UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias ResistorsDIM MILLIMETERS1 6_Simplify Circuit Design A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process_B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1High P
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: P2N2907A | HA06 | 2SA1427O | 2SD2051 | CDB550 | HSE401 | FC1404
History: P2N2907A | HA06 | 2SA1427O | 2SD2051 | CDB550 | HSE401 | FC1404



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet