KRA757F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA757F  📄📄 

Маркировка: KG

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TFS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA757F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA757F даташит

 0.1. Size:387K  kec
 kra757f-kra759f.pdf pdf_icon

KRA757F

SEMICONDUCTOR KRA757F KRA759F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 Thin Fine Pitch Super

 8.1. Size:393K  kec
 kra757e-kra759e.pdf pdf_icon

KRA757F

SEMICONDUCTOR KRA757E KRA759E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing

 8.2. Size:47K  kec
 kra757u-kra759u.pdf pdf_icon

KRA757F

SEMICONDUCTOR KRA757U KRA759U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High P

 8.3. Size:47K  kec
 kra757e-kra759e 1.pdf pdf_icon

KRA757F

SEMICONDUCTOR KRA757E KRA759E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packing Density.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA754E, KRA754F, KRA754U, KRA755E, KRA755U, KRA756E, KRA756U, KRA757E, MJE340, KRA757U, KRA758E, KRA758F, KRA758U, KRA759E, KRA759F, KRA759U, KRA760E