KRA766E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA766E  📄📄 

Маркировка: P2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: TES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRA766E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA766E даташит

 0.1. Size:70K  kec
 kra766e-kra772e.pdf pdf_icon

KRA766E

SEMICONDUCTOR KRA766E KRA772E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 C 0.50 3 4 _ D 0

 8.1. Size:70K  kec
 kra766u-kra772u.pdf pdf_icon

KRA766E

SEMICONDUCTOR KRA766U-KRA772U EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.2

 9.1. Size:50K  kec
 kra760u-kra764u.pdf pdf_icon

KRA766E

SEMICONDUCTOR KRA760U KRA764U EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packi

 9.2. Size:387K  kec
 kra760f-kra764f.pdf pdf_icon

KRA766E

SEMICONDUCTOR KRA760F KRA764F EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 High Packing Density

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA762E, KRA762U, KRA763E, KRA763F, KRA763U, KRA764E, KRA764F, KRA764U, A1013, KRA766U, KRA767E, KRA767U, KRA768E, KRA768U, KRA769E, KRA769U, KRA770E