KRC103S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KRC103S 📄📄
Маркировка: NC
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KRC103S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KRC103S даташит
krc101s krc102s krc103s krc104s krc105s krc106s.pdf
SEMICONDUCTOR KRC101S KRC106S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/
krc101-krc106.pdf
SEMICONDUCTOR KRC101 KRC106 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _
krc101s-krc106s.pdf
SEMICONDUCTOR KRC101S KRC106S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/
krc107-krc109.pdf
SEMICONDUCTOR KRC107 KRC109 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ H
Другие транзисторы: KRA770E, KRA770U, KRA771E, KRA771U, KRA772E, KRA772U, KRC101S, KRC102S, 2SA1015, KRC104S, KRC105S, KRC106S, KRC107S, KRC108S, KRC109S, KRC110S, KRC111S
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: SRC1212UF | 2N3826 | 3CG636
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979









