KRC107S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KRC107S 📄📄
Маркировка: NH
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KRC107S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KRC107S даташит
krc107s-krc109s.pdf
SEMICONDUCTOR KRC107S KRC109S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ With Built-in Bias Resistors. A 2.93 0.20 + B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/
krc107s-109s.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors KRC107S KRC109S SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features With Built in Bias Resistors Simplify Circuit Design 1 2 Reduce a Quantity of Parts and Manufaturing Process +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 Digital Transistors 1.IN OUT 2.Common BIAS RESISTOR VALUES 3.OUT TYPE NO. R1(k ) R2
krc107-krc109.pdf
SEMICONDUCTOR KRC107 KRC109 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ H
krc107m-krc109m.pdf
SEMICONDUCTOR KRC107M KRC109M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00
Другие транзисторы: KRA772E, KRA772U, KRC101S, KRC102S, KRC103S, KRC104S, KRC105S, KRC106S, 2SC2383, KRC108S, KRC109S, KRC110S, KRC111S, KRC112S, KRC113S, KRC114S, KRC116S
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SD2662 | MJ13333 | BFW97M | NSE458 | 2N3804 | 2SC477 | MUN5315DW1T1G
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n




