KRC110S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KRC110S 📄📄
Маркировка: NK
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KRC110S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KRC110S даташит
krc110s-krc114s.pdf
SEMICONDUCTOR KRC110S KRC114S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/-
krc110s-114s.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors KRC110S KRC114S SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features With Built in Bias Resistors Simplify Circuit Design 1 2 Reduce a Quantity of Parts and Manufaturing Process +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 Digital Transistors 1.Base C 2.Emitter 3.collector R1 B E Absolute Maximum Ratin
krc110-krc114.pdf
SEMICONDUCTOR KRC110 KRC114 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 EQUIVALENT CIRCUIT
krc110m-krc114m.pdf
SEMICONDUCTOR KRC110M KRC114M EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.
Другие транзисторы: KRC102S, KRC103S, KRC104S, KRC105S, KRC106S, KRC107S, KRC108S, KRC109S, 2N2907, KRC111S, KRC112S, KRC113S, KRC114S, KRC116S, KRC117M, KRC117S, KRC118M
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2N639 | BFW40A | NB212EI | 3CG608K | RN2424 | 2SB1412-R | NB014F
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381




