KRC110S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC110S  📄📄 

Маркировка: NK

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC110S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC110S даташит

 0.1. Size:393K  kec
krc110s-krc114s.pdfpdf_icon

KRC110S

SEMICONDUCTOR KRC110S KRC114S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/-

 0.2. Size:812K  kexin
krc110s-114s.pdfpdf_icon

KRC110S

SMD Type Transistors NPN Transistors KRC110S KRC114S SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features With Built in Bias Resistors Simplify Circuit Design 1 2 Reduce a Quantity of Parts and Manufaturing Process +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 Digital Transistors 1.Base C 2.Emitter 3.collector R1 B E Absolute Maximum Ratin

 8.1. Size:47K  kec
krc110-krc114.pdfpdf_icon

KRC110S

SEMICONDUCTOR KRC110 KRC114 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 EQUIVALENT CIRCUIT

 8.2. Size:391K  kec
krc110m-krc114m.pdfpdf_icon

KRC110S

SEMICONDUCTOR KRC110M KRC114M EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.

Другие транзисторы: KRC102S, KRC103S, KRC104S, KRC105S, KRC106S, KRC107S, KRC108S, KRC109S, 2N2907, KRC111S, KRC112S, KRC113S, KRC114S, KRC116S, KRC117M, KRC117S, KRC118M