KRC401V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC401V  📄📄 

Маркировка: NA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: VSM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC401V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC401V даташит

 0.1. Size:79K  kec
krc401v-krc406v.pdfpdf_icon

KRC401V

SEMICONDUCTOR KRC401V KRC406V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05

 8.1. Size:391K  kec
krc401e-krc406e.pdfpdf_icon

KRC401V

SEMICONDUCTOR KRC401E KRC406E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _

 8.2. Size:390K  kec
krc401-krc406.pdfpdf_icon

KRC401V

SEMICONDUCTOR KRC401 KRC406 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E M B M FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.00 0.20 D 2 _ + B 1.25 0.15 Simplify Circuit Design. _ + C 0.90 0.10 3 1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. D 0.3+0.10/-0.05

Другие транзисторы: KRC120M, KRC120S, KRC121M, KRC121S, KRC122M, KRC122S, KRC401, KRC401E, TIP41C, KRC402, KRC402E, KRC402V, KRC403, KRC403E, KRC403V, KRC404, KRC404E