Биполярный транзистор KRC403E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KRC403E
Маркировка: NC
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: ESM
KRC403E Datasheet (PDF)
krc407v-krc409v.pdf

SEMICONDUCTOR KRC407V~KRC409VTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURES BWith Built-in Bias ResistorsSimplify Circuit DesignDIM MILLIMETERS2_Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.05High Packing Density. 13_C 0.5 + 0.05_D 0.3 +
krc401e-krc406e.pdf

SEMICONDUCTOR KRC401E~KRC406ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURES BDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 1.60 0.10DSimplify Circuit Design. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.31D 0.27+0.10/-0.05_
krc407e-krc409e.pdf

SEMICONDUCTOR KRC407E~KRC409ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURES BDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors_+A 1.60 0.10DSimplify Circuit Design _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process31D 0.27+0.10/-0.05_H
krc401-krc406.pdf

SEMICONDUCTOR KRC401~KRC406TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EM B MFEATURES DIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 2.00 0.20D2_+B 1.25 0.15Simplify Circuit Design._+C 0.90 0.1031Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.D 0.3+0.10/-0.05
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MMBT5130 | BF173



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198