KRC412 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KRC412 📄📄
Маркировка: NN
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: USM
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KRC412
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KRC412 даташит
krc412.pdf
SEMICONDUCTOR KRC412 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.00 0.20 D 2 _ Simplify Circuit Design. B 1.25 0.15 + _ + C 0.90 0.10 3 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + E 2
krc410e-krc414e.pdf
SEMICONDUCTOR KRC410E KRC414E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _
krc416v-krc422v.pdf
SEMICONDUCTOR KRC416V KRC422V EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 _
krc416-krc422.pdf
SEMICONDUCTOR KRC416 KRC422 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION E FEATURES M B M With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS _ + A 2.00 0.20 D Simplify Circuit Design. 2 _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _
Другие транзисторы: KRC409E, KRC409V, KRC410, KRC410E, KRC410V, KRC411, KRC411E, KRC411V, 2SC2073, KRC412E, KRC412V, KRC413, KRC413E, KRC413V, KRC414, KRC414E, KRC414V
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: SUR534H | 2SA719 | FFB2907A | MUN5233DW1T1G | STC03DE220HP | 2N5221 | RN2905AFS
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525








