Биполярный транзистор KRC652E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KRC652E
Маркировка: NB
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TESV
Аналог (замена) для KRC652E
KRC652E Datasheet (PDF)
krc657u-krc659u.pdf

SEMICONDUCTOR KRC657U~KRC659UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 5DIM MILLIMETERS_A 2.00 + 0.20Simplify Circuit Design.2 _A1 1.3 + 0.1_B 2.1 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.3 4 D_B1 1.25 + 0.1C 0.65D 0.
krc657e-krc659e.pdf

SEMICONDUCTOR KRC657E~KRC659ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 5 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design._A 1.6 0.05+Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05High Packing Density._
krc651u-krc656u.pdf

SEMICONDUCTOR KRC651U~KRC656UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.1 5DIM MILLIMETERS_Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1High Pa
krc651f-krc654f.pdf

SEMICONDUCTOR KRC651F~KRC654FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.DIM MILLIMETERSHigh Packing Density._+A 1.0 0.05_+A1 0.7 0.05Thin Fine Pitch Super mi
Другие транзисторы... KRC642T , KRC643T , KRC644T , KRC645T , KRC646T , KRC651E , KRC651F , KRC651U , 2SA1015 , KRC652F , KRC652U , KRC653E , KRC653F , KRC653U , KRC654E , KRC654F , KRC654U .
History: BU931SM
History: BU931SM



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747