KRC655E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KRC655E
Маркировка: NE
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TESV
KRC655E Datasheet (PDF)
krc657u-krc659u.pdf
SEMICONDUCTOR KRC657U KRC659U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 2.00 + 0.20 Simplify Circuit Design. 2 _ A1 1.3 + 0.1 _ B 2.1 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.
krc657e-krc659e.pdf
SEMICONDUCTOR KRC657E KRC659E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _
krc651u-krc656u.pdf
SEMICONDUCTOR KRC651U KRC656U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Pa
krc651f-krc654f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC651F KRC654F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. DIM MILLIMETERS High Packing Density. _ + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 Thin Fine Pitch Super mi
Другие транзисторы... KRC652F , KRC652U , KRC653E , KRC653F , KRC653U , KRC654E , KRC654F , KRC654U , S9018 , KRC655U , KRC656E , KRC656U , KRC657E , KRC657F , KRC657U , KRC658E , KRC658F .
History: KRA312E | KRA322 | DTC014YEB | KT6110V | KRA320V | KT645B | KT617A
History: KRA312E | KRA322 | DTC014YEB | KT6110V | KRA320V | KT645B | KT617A
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g







