KRC655E - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KRC655E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KRC655E
   Маркировка: NE
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TESV

 Аналоги (замена) для KRC655E

 

KRC655E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:49K  kec
krc657u-krc659u.pdfpdf_icon

KRC655E

SEMICONDUCTOR KRC657U KRC659U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 2.00 + 0.20 Simplify Circuit Design. 2 _ A1 1.3 + 0.1 _ B 2.1 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.

 9.2. Size:49K  kec
krc657e-krc659e.pdfpdf_icon

KRC655E

SEMICONDUCTOR KRC657E KRC659E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _

 9.3. Size:427K  kec
krc651u-krc656u.pdfpdf_icon

KRC655E

SEMICONDUCTOR KRC651U KRC656U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Pa

 9.4. Size:394K  kec
krc651f-krc654f.pdfpdf_icon

KRC655E

SEMICONDUCTOR KRC651F KRC654F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. DIM MILLIMETERS High Packing Density. _ + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 Thin Fine Pitch Super mi

Другие транзисторы... KRC652F , KRC652U , KRC653E , KRC653F , KRC653U , KRC654E , KRC654F , KRC654U , S9018 , KRC655U , KRC656E , KRC656U , KRC657E , KRC657F , KRC657U , KRC658E , KRC658F .

History: KRA312E | KRA322 | DTC014YEB | KT6110V | KRA320V | KT645B | KT617A

 

 
Back to Top

 


 
.