Биполярный транзистор KRC657U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRC657U
Маркировка: NH
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: USV
KRC657U Datasheet (PDF)
krc657u-krc659u.pdf
SEMICONDUCTOR KRC657U~KRC659UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 5DIM MILLIMETERS_A 2.00 + 0.20Simplify Circuit Design.2 _A1 1.3 + 0.1_B 2.1 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.3 4 D_B1 1.25 + 0.1C 0.65D 0.
krc657e-krc659e.pdf
SEMICONDUCTOR KRC657E~KRC659ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 5 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design._A 1.6 0.05+Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05High Packing Density._
krc657f-krc659f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC657F~KRC659FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.DIM MILLIMETERSThin Fine Pitch Super mini 5pin Package._+A 1.0 0.05_+A1 0.7 0.05_+B
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
