KRC660F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRC660F  📄📄 

Маркировка: JK

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TFSV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KRC660F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRC660F даташит

 0.1. Size:387K  kec
 krc660f-krc664f.pdf pdf_icon

KRC660F

SEMICONDUCTOR KRC660F KRC664F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. DIM MILLIMETERS High Packing Density. _ + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 Thin Fine Pitch Super m

 8.1. Size:50K  kec
 krc660e-krc664e.pdf pdf_icon

KRC660F

SEMICONDUCTOR KRC660E KRC664E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _

 8.2. Size:51K  kec
 krc660u-krc664u.pdf pdf_icon

KRC660F

SEMICONDUCTOR KRC660U KRC664U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packing

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRC657U, KRC658E, KRC658F, KRC658U, KRC659E, KRC659F, KRC659U, KRC660E, TIP41C, KRC660U, KRC661E, KRC661F, KRC661U, KRC662E, KRC662U, KRC663F, KRC663U