Биполярный транзистор 2N6025 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6025
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO220
2N6025 Datasheet (PDF)
2n6027 2n6028.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N6027/D2N6027Programmable2N6028Unijunction TransistorsSilicon Programmable Unijunction Transistors. . . designed to enable the engineer to program unijunction characteristics such asPUTsRBB, , IV, and IP by merely selecting two resistor values. Application includes40 VOLTSthyristor-trigger, oscillator,
2n5629 2n5630 2n6029 2n6030.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n6027 2n6028.pdf
2N6027, 2N6028Preferred DeviceProgrammableUnijunction TransistorProgrammable UnijunctionTransistor TriggersDesigned to enable the engineer to program unijunction http://onsemi.comcharacteristics such as RBB, , IV, and IP by merely selecting tworesistor values. Application includes thyristortrigger, oscillator, pulsePUTsand timing circuits. These devices may als
2n6029 2n6030.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N6029 2N6030 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N5629 2N5630 APPLICATIONS For high voltage and high power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITI
2n6029 2n6030.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6029 2N6030 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N5629 2N5630 High power dissipations APPLICATIONS For high voltage and high power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum rating
Другие транзисторы... 2N6014 , 2N6015 , 2N6016 , 2N6017 , 2N602 , 2N6021 , 2N6022 , 2N6024 , 13003 , 2N6026 , 2N6029 , 2N602A , 2N603 , 2N6030 , 2N6031 , 2N6032 , 2N6033 .
History: ZXTN25100DG
