KRC668U datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KRC668U 📄📄
Маркировка: N5
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33
Корпус транзистора: USV
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KRC668U
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KRC668U даташит
krc660e-krc664e.pdf
SEMICONDUCTOR KRC660E KRC664E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 High Packing Density. _
krc666e-krc672e.pdf
SEMICONDUCTOR KRC666E KRC672E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 _ + B1 1.2 0.05 C 0.50 3
krc660u-krc664u.pdf
SEMICONDUCTOR KRC660U KRC664U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packing
krc660f-krc664f.pdf
SEMICONDUCTOR KRC660F KRC664F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. DIM MILLIMETERS High Packing Density. _ + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 Thin Fine Pitch Super m
Другие транзисторы: KRC663U, KRC664F, KRC664U, KRC666E, KRC666U, KRC667E, KRC667U, KRC668E, A1015, KRC669E, KRC669U, KRC670E, KRC670U, KRC671E, KRC671U, KRC672E, KRC672U
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: KRC414 | BFV39 | 2SC3505 | SM2159 | MUN2231T1G | NB021FK | RN4985AFS
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419





